彭博社：中国长鑫存储表示，其内存技术取得突破，已领先三星和SK海力士。
内容摘要
长鑫存储宣布在4F² DRAM架构上取得突破，并计划在年底前推出面向数据中心服务器的新款芯片，声称已领先三星电子和SK海力士。受这一消息影响，三星和SK海力士在韩国股市周二双双下跌超过7%，并拖累Kospi指数走低。 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-10-13/china-s-cxmt-claims-memory-breakthrough-ahead-of-samsung-hynix 来源：彭博社
打开 稻草财经 · 会员读全文 →会员权益
- 解锁本文及全部财经资讯的完整原文
- 实时 A 股 / 港美股行情与自选盯盘
- 个股 / 研报 / 快讯的 AI 解读，以及每日 A 股收盘复盘
文章全文会员专享 · 行情与自选登录即用
更多资讯
- 欧洲汽车制造商正在重新推出经典车型的电动版本，从雷诺5到雪铁龙2CV，试图借助怀旧情怀来应对中国竞争对手。雷诺5…
- 法国广告巨头阳狮第三季度有机增长超出市场预期，主要受到客户对AI营销需求的推动，公司同时确认了全年业绩展望。该季…
- 严重的厄尔尼诺现象预计会让亚洲今年冬季的气温比往年偏高，这可能压低能源需求，并减轻美伊战争造成的供应压力。日本、…
- Anthropic周一表示，其试验表明小型AI模型可能再过几个月就足以在智能烤箱和非品牌安卓电视盒子等商用物联网…
- 研究机构IDC表示，中国第三季度智能手机出货量为5790万部，同比下降15.4%。苹果出货量下滑4.3%，市场份…
- 国际货币基金组织下调了拉丁美洲和加勒比地区2026年和2027年的经济增长预期，预计今年区域增长2.3%，低于2…