彭博社：三星发布3D存储新路线图 力争AI技术领先
内容摘要
三星电子近日展示了其最新的存储硬件成果。该公司宣称，通过将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器之上，其性能已达到下一代HBM5的约八倍，存储密度也提升了十倍以上。同时，三星计划于今年下半年开始量产HBM4产品。此外，该公司还推出了业界首款采用V10 BV-NAND架构的存储方案，其存储密度相比上一代提升了近60%。 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-08-04/samsung-reveals-new-3d-memory-roadmap-in-bid-for-ai-tech-lead 来源：彭博社
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