【研报快讯】
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【研报快讯】20260722-东吴证券-半导体行业深度报告：功率密度跃升驱动800V DC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间 东吴证券最新半导体行业深度报告指出，随着电动汽车对充电效率与续航能力要求提升，800V高压直流（DC）架构加速普及，核心驱动力在于功率密度持续跃升。报告认为，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带功率器件凭借高耐压、低损耗、高频率等优势，正快速替代传统硅基IGBT，在主驱逆变器、OBC及DC-DC转换器中渗透率显著提升。预计2026年全球SiC功率器件市场规模将超60亿美元，CAGR达35%以上。国内厂商如斯达半导、时代电气、新洁能等在IDM或模块环节加速…
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