SK 海力士：高带宽内存的先进封装技术
一句话看懂：看好：HBM是AI性能关键瓶颈，每代带宽/容量升级驱动持续需求。
核心逻辑
AI算力增长受内存墙限制，HBM相对DDR5带宽高出约17倍。HBM4数据率达11Gbps、带宽2800GB/s，IO翻倍至2048，2026年量产。SK海力士作为HBM主要供应商直接受益于2.5D先进封装与CoWoS扩产。
关键利好
- HBM4较HBM3带宽提升约1.73倍、IO达2048，2026年量产带来明确换代节点。
- 单GPU封装8颗HBM4 12-high堆栈，内存硅面积超典型GPU 8倍，AI平台对HBM需求结构性增长。
- 先进封装路线向CoWoS-L/R及玻璃基板演进，扩展SiP尺寸提升单机HBM搭载量。
风险与需要留意的地方
- 封装端CoWoS-L/R及玻璃基板良率若不达预期，将限制HBM4放量节奏及单机搭载量。
- HBM3E容量/带宽约为DDR5的3倍硅成本，封装与制造复杂度推高单GB成本，限制毛利扩张。
- HBM5/HBM4e等下一代节点路线图若被竞品抢跑，将削弱SK海力士在2.5D先进封装的领先溢价。
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