存储半导体月报（10月）：市场的重重担忧是否合理？
一句话看懂：市场担忧不合理，CXMT 4F2 VCAT DRAM爬产对供给影响不大，HBM去规格化或持续但服务器DDR5需求更强。
核心逻辑
['CXMT 4F2 VCAT DRAM爬产对行业供给影响不大', 'HBM去规格化或持续但服务器DDR5需求更强', '存储股回调可能提供有吸引力的机会']
主要风险
- HBM de-specing may continue amidst stronger server DDR5 demand
- HBM de-specing was largely unfavorable to Nvidia VR300
- DRAM process technology migration to 3D DRAM may come later than otherwise, ultimately removing need for EUV litho for DRAM
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报告综述
UBS存储半导体月报认为市场担忧不合理，CXMT 4F2 VCAT DRAM爬产对行业供给不构成担忧，HBM去规格化或持续但服务器DDR5需求更强。报告对覆盖集团保持积极，首选Key Call Buy三星电子，覆盖范围内所有股票维持Buy评级。