先进封装
一句话看懂:看多先进封装赛道:CoWoS-L成主流方案+国产算力与存储外包驱动头部OSAT高景气。
DeepFocus 视角
本报告的看多结论成立需依赖三个隐含前提:其一,AI算力需求延续(尤其是AMD、字节/阿里/沐曦等ASIC客户放量),否则盛合与通富的产能扩张将提前透支稼动率;其二,长鑫与长江存储外包策略持续——若两者加速向IDM回摆(如长鑫攻克D1β并重新内部化TSV),OSAT订单将面临结构性回落;其三,CoWoS-L对CoWoS-S的替代节奏按2026-2027年完成,否则设备投资节奏与价值量分布会偏离报告测算。报告对负面因素讨论偏少,最被低估的风险是2027年后WoS环节产能过剩与价格战——以当前通富、盛合激进扩产口径推算,2026H2起供需差可能边际反转,盈利预期需打折扣;其次被淡化的是Hybrid Bonding代际切换,HBM4一旦采用wafer-to-wafer或D2W键合,传统TCB机台存量(Besi/ASMPT/K&S主导)面临贬值,国产替代窗口更窄。从行业格局看,国内"两强+长尾"的结构已相对固化,盛合与通富凭借HH、AMD深度绑定形成先发优势,但长电/华天若切入HBM后道或晶圆厂自建封装(如中芯、长鑫)则格局有变。横向参照台积电CoWoS月产能已超40k片、单价远超代工均价,规模效应不可同语,但国内逻辑恰在于国产替代+IDM外包的结构性需求,估值不能简单按TSMC折价。敏感性最高的是AMD GPU与长鑫HBM出货量——前者一动通富GPU封装订单弹性极大,后者一动沛顿/通富HBM后段稼动率显著波动;CoWoS-L渗透率与Hybrid Bonding量产时点则是设备端最关键变量。建议跟踪的指标包括:①每月通富、盛合产能利用率与季度毛利率;②长鑫HBM3/HBM4量产时点与外包份额变化;③AMD MI系列季度出货与CoWoS配套;④芯源微临时键合机台订单与SUSS国产替代率;⑤兆易/华邦Cube方案与小米/联想合作机型放量节点。
解读综述
研报聚焦CoWoS-L工艺演进、设备价值量与国内先进封装竞争格局。核心结论:CoWoS-L以硅桥替代完整硅中间层,将成为兼顾性能与成本的主流方案;TSV是工艺核心瓶颈,深硅刻蚀设备价值量最高。国内格局两极分化,盛合晶微与通富微电在产能(约5k-6k片/月)与良率(约92%)上领先长电、华天;长鑫、长江存储已将HBM与Flash中后道封装大量外包给OSAT,叠加国内逻辑/存储持续扩产,头部封装厂稼动率普遍在85%-95%高位,2026年CoWoS产能仍紧俏。
速读 · 核心要点
- 盛合晶微CoWoS-L月产能约6,000片、良率92%,受HH公司订单驱动领跑国内,竞争护城河明显
- 通富微电绑定AMD GPU及字节/阿里/沐曦等ASIC客户,月产能约5,000片、良率92%,先进封装业务弹性大
- 国内封装厂稼动率普遍85%-95%(通富/长电/华天>92%,盛合>95%),2026年CoWoS产能持续紧俏,量价齐升逻辑成立
- 长鑫HBM的TSV/Micro Bumping/堆叠及DDR4/5中后道封装外包沛顿与通富,长江存储NAND堆叠后段外包,OSAT外包订单具有持续性
风险与需要留意的地方
- 2027年后WoS环节预计可能出现产能过剩与价格战,头部OSAT盈利存在下行风险
- CoWoS-S转CoWoS-L增量设备集中在LS光刻/刻蚀/PVD/CVD环节,国产替代在高端光刻机(ASML主导)层面短期内难以突破
- Hybrid Bonding对TCB的替代预计从HBM4起发生,国内OSAT在裸片对晶圆/裸片对裸片键合良率与效率上仍处追赶状态
更多研报解读
- 看多:AI需求延至2030年,2026指引与CapEx上调,目标价升至NT$3100
- 看多:二季度业绩有望验证量价齐升,叠加下半年密集新车周期,为2027年重估铺路。