硅光切割在硅光芯片生产中的卡位与所需工艺
一句话看懂：硅光切割环节具备极高技术壁垒，九州一轨为切割环节绝对龙头，市占率达80%-90%，市场约20亿元，公司拟增6亿固定资产投资，满产后年化净利润有望超5亿元。
核心逻辑
['硅光渗透率随速率提升激增，推动切割需求增长', '九州一轨凭借工艺壁垒在切割环节具备绝对龙头地位', '公司增资扩产，未来年化净利润有望达5亿元']
主要风险
- 激光切割需针对特定材料进行复杂工艺调试，设备商DISCO仅售设备不提供工艺支持
- 上游EML等发光侧技术存在制约
- 激光切割需购置昂贵设备并针对特定材料进行复杂的光源、功率等工艺参数调试
- 硅光芯片功能区密集排布且光波导通道需紧邻芯片边缘，切割精度和崩边控制要求极严
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报告综述
硅光渗透率随速率提升激增，预计3.2T时代光模块硅光占比达80%-90%，NPO/CPO方案渗透率接近100%。硅光切割环节具备极高技术壁垒，激光切割为主流，九州一轨（九州光电）为切割环节绝对龙头，市占率达80%-90%。以2亿只光模块需求计，切割服务市场约20亿元，公司拟增6亿固定资产投资，满产后年化净利润有望超5亿元。
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