Hot Chips 要点总结：英伟达 (NVDA)、三星、美光 (MU) 与 SK 海力士关于 HBM、HBF 的探讨 + RISC-V、闪迪、铠侠
一句话看懂：看多存储：HBM吞噬晶圆产能，现货价涨约7倍，供需紧张难快速缓解
核心逻辑
超大规模云厂商AI capex加速拉动HBM需求，而HBM单晶圆产出仅为标准DDR约1/3，新厂建设需约两年，供应受限推动DRAM/NAND价格大涨。
关键利好
- HBM每晶圆产出仅约标准DDR三分之一，新厂建设需约两年，供应刚性紧张
- DRAM/NAND现货价较此前上涨约7倍，三星、SK海力士、美光营收强劲增长
- AI基础设施使QLC SSD需求扩大并填补HDD缺货，NAND进入短缺，铠侠与闪迪受益
风险与需要留意的地方
- 算法效率提升不必然降低capex，6倍效率可能转化为6倍产出而非支出下降
- 近存计算等替代架构面临软件生态薄弱风险，INTC Optane因未达规模而失败
- HBM base die逻辑层功能增强可能分流部分定制内存需求，挤压新架构空间
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